Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2116U000785, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Modeling of Schottky Barrier Height and Volt-Amper Characteristics for Transition Metal-solid Solution (SіC)1 – x(AlN)x Автор Дата публікації 01-01-2016 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/48770 Видання Sumy State University Опис Proposed nonlinear defect concentration model of metal-semiconductor contact. It is shown that taking into account nonlinear dependence of the Fermi energy EF defect concentration leads to higher barrier Schottky in 15-25 %. Calculated Volt-Amper characteristics of the diodes are consistent with experiment. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити
Матеріали
Стаття
Modeling of Schottky Barrier Height and Volt-Amper Characteristics for Transition Metal-solid Solution (SіC)1 – x(AlN)x
Modeling of Schottky Barrier Height and Volt-Amper Characteristics for Transition Metal-solid Solution (SіC)1 – x(AlN)x : публікація 2016-01-01; Сумський державний університет, 2116U000785
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-04-08


Роздрукувати цю сторінку