Search academic texts

Information × Registration Number 2116U000827, Article popup.category Стаття Title popup.author popup.publication 01-01-2016 popup.source_user Сумський державний університет popup.source http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/44810 popup.publisher Сумський державний університет Description За допомогою рентгенівської дифрактометрії досліджено кристалічну структуру аргіродиту Ag8SnSe6. Встановлено, що сполука кристалізується в орторомбічній гратці з параметрами a = 7,89052 Å, b = 7,78976 Å, c = 11,02717 Å. Проведено розрахунок зонної енергетичної структури β´- фази кристалу Ag8SnSe6 в усьому k-просторі. Встановлено, що β´-фаза кристала є – прямозонний напівпровідник з шириною забороненої зони Eg = 0,765 еВ, вершиною валентної зони та дном зони провідності, локалізованими в Г- точці. Вершину валентної зони формують d-орбіталі Ag, а дно зони провідності, в основному, сформоване p- орбіталями Ag із вкладом p-орбіталей Se та Sn. С помощью рентгеновской дифрактометрии исследована кристаллическая структура аргиродита Ag8SnSe6. Установлено, что соединение кристаллизуется в орторомбической решетке с параметрами a = 7,89052 Å, b = 7,78976 Å, c = 11,02717 Å. Приведено результаты расчета зонно-энергетической структуры β´-фазы кристалла Ag8SnSe6 во всем k-пространстве. Установлено, что така фаза является прямозонным полупроводником с шириной запрещенной зоны Eg = 0,765 эВ с вершиной валентной зоны и дном зоны проводимости, локализованными в Г-точке. Вершину валентной зоны формируют d- орбитали Ag, а дно зоны проводимости в основном сформировано p- орбиталями Ag с вкладом p-орбиталей Se и Sn. The crystal structure of Ag8SnSe6 was investigated using X-ray diffraction. Argyrodite Ag8SnSe6 crystallizes in the orthorhombic unit cell with the lattice parameters a = 7,89052 Å, b = 7,78976 Å, c = 11,02717 Å. The energy band structure of Ag8SnSe6 is calculated from the first principles within both the local density approximation (LDA) and the generalized gradient approximation (GGA). Theoretical calculation of the relative coordinates of the atoms in the unit cell good agree with experimental results. Argyrodite is semiconductor with a direct energy gap at G of 0,765 eV. The electron density of state were calculated. The bottom of the conduction band is predominantly formed by the Ag p-states with the lower contribution by the Sn and Se p-states. popup.nrat_date 2025-03-24 Close