Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2116U000924, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Perspective Method of Betavoltaic Converter Creation Автор Дата публікації 01-01-2016 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45503 Видання Sumy State University Опис Some results on planar diode structure creation by the method of a plasma-immersion ion implantation is presented in this paper. Obtained leakage current ~ 1 uA/cm2 at reverse voltage – 1 V. The cryogenic plasmochemical silicon etching process is developed, able to form the structured silicon layer with system of deep holes with high aspect ratio. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити