Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2116U000929, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Features of Formation of Ohmic Contacts and Gate on Epitaxial Heterostructure of AlGaN / GaN High Electron Mobility Transistor Автор Дата публікації 01-01-2016 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45575 Видання Sumy State University Опис Reported about study of processes of formation of Ti / Al / Ni / Au ohmic contacts to heterostructures AlGaN / GaN and gate Ni / Au. Investigated of process recess the semiconductor layer for minimum resistance of ohmic contact – 0.4 Ohm·mm. Studied influence of encapsulation ohmic contacts on their surface morphology. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити
Матеріали
Стаття
Features of Formation of Ohmic Contacts and Gate on Epitaxial Heterostructure of AlGaN / GaN High Electron Mobility Transistor
Features of Formation of Ohmic Contacts and Gate on Epitaxial Heterostructure of AlGaN / GaN High Electron Mobility Transistor : публікація 2016-01-01; Сумський державний університет, 2116U000929
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-17


Роздрукувати цю сторінку