Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2116U000930, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Fabrication of β-Silicon Carbide Nanowires from Carbon Powder and Silicon Wafer Автор Дата публікації 01-01-2016 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45463 Видання Sumy State University Опис β-SiCNWs were synthesized by simple carbo-thermal process using silicon wafer and carbon powder only. The obtained β-SiCNWs were short and thick with random distribution over Si wafer surface when rapid heating rate is applied. While β-SiCNWs fabricated under low heating rate are 57.0±3.0 nm in average diameter and few millimeters in length. An ambient Ar gas flow rates were found to be critical in the growth yield of resultant β-SiC nanowires. XRD diffraction patterns and FTIR spectrum reveals the composition structure of theses wires. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити
Матеріали
Стаття
Fabrication of β-Silicon Carbide Nanowires from Carbon Powder and Silicon Wafer
Fabrication of β-Silicon Carbide Nanowires from Carbon Powder and Silicon Wafer : публікація 2016-01-01; Сумський державний університет, 2116U000930
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-14


Роздрукувати цю сторінку