Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2116U000947, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи An Analytical Universal Model for Symmetric Double Gate Junctionless Transistors Автор Дата публікації 01-01-2016 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45465 Видання Sumy State University Опис An analytical surface potential based universal model for the drain current voltage characteristics of Symmetric Double gate (DG) junctionless field effect transistors is presented. This novel universal model is valid for all operating regions from depletion to inversion regions of operations. The primary conduction mechanism is governed by the bulk current where the channel becomes fully depleted in turning it off. This model has been validated by using TCAD device simulating software. The comparison shows high accuracy of the proposed model. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити
Матеріали
Стаття
An Analytical Universal Model for Symmetric Double Gate Junctionless Transistors
An Analytical Universal Model for Symmetric Double Gate Junctionless Transistors : публікація 2016-01-01; Сумський державний університет, 2116U000947
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-19


Роздрукувати цю сторінку