Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2116U000958, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Structure and Charge States of the Selected Hydrogenated Silicon Clusters Si2-Si8 by Non-Conventional Tight-Binding Method Автор Дата публікації 01-01-2016 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45471 Видання Sumy State University Опис Structures of SinHm clusters in neutral, positive and double positive charge states have been calculated by nonconventional tight-binding method and molecular dynamics. An influence of the charge state and the termination by hydrogen of dangling bonds on cluster structures those are obtained as a result of chemical vapor precipitation in silane, is considered for the first time. Fully hydrogenated clusters have tetrahedral branched structures. Other isomers have forms of closed circles. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити
Матеріали
Стаття
Structure and Charge States of the Selected Hydrogenated Silicon Clusters Si2-Si8 by Non-Conventional Tight-Binding Method
Structure and Charge States of the Selected Hydrogenated Silicon Clusters Si2-Si8 by Non-Conventional Tight-Binding Method : публікація 2016-01-01; Сумський державний університет, 2116U000958
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-20


Роздрукувати цю сторінку