Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2116U001056, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Comparison of Three Dimensional Partially and Fully Depleted SOI MOSFET Characteristics Using Mathcad Автор Дата публікації 01-01-2016 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/44880 Видання Sumy State University Опис In this Paper, comparison of three Dimensional characteristics between partially and fully depleted Silicon-On-Insulator (SOI MOSFET) is presented, this is done through 3D device modeling using mathcad, based on the numerical solution of three dimensional Poisson’s equation. Behavior of Various Parameters like Surface Potential, Threshold Voltage, Electric field and Drain current are presented in this paper. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити
Матеріали
Стаття
Comparison of Three Dimensional Partially and Fully Depleted SOI MOSFET Characteristics Using Mathcad
Comparison of Three Dimensional Partially and Fully Depleted SOI MOSFET Characteristics Using Mathcad : публікація 2016-01-01; Сумський державний університет, 2116U001056
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-15


Роздрукувати цю сторінку