Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2116U001063, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Thermodynamics of Nucleation of Silicon Carbide Nanocrystals during Carbonization of Porous Silicon Автор Дата публікації 01-01-2016 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/46945 Видання Sumy State University Опис The formation of SiC nanocrystals of the cubic modification in the process of high-temperature carbonization of porous silicon has been analyzed. It has been shown that the surface energy of silicon nanoparticles and quantum filaments is released in the process of annealing and carbonization. The Monte Carlo simulation has shown that the released energy makes it possible to overcome the nucleation barrier and to form SiC nanocrystals. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити
Матеріали
Стаття
Thermodynamics of Nucleation of Silicon Carbide Nanocrystals during Carbonization of Porous Silicon : публікація 2016-01-01; Сумський державний університет, 2116U001063
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-14