Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2116U001072, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Boron Monolayer χ3-type. Formation of the Vacancy Defect and Pinhole Автор Дата публікації 01-01-2016 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/49843 Видання Sumy State University Опис This research is focused on a local vacancy defect formation and pinholes formation in a two-dimensional boron structure – boron monolayer χ3 - type. The main characteristics of defects formation have been carried out by using the semi-empirical quantum-chemical scheme MNDO. The variants of atomic configurations which give pinholes defect have been found. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити
Матеріали
Стаття
Boron Monolayer χ3-type. Formation of the Vacancy Defect and Pinhole
Boron Monolayer χ3-type. Formation of the Vacancy Defect and Pinhole : публікація 2016-01-01; Сумський державний університет, 2116U001072
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-14


Роздрукувати цю сторінку