Інформація × Реєстраційний номер 2116U001998, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Thesis Назва роботи Міграція включень в кристалах Cd(Mn)Te Автор Дата публікації 01-01-2016 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/46190 Видання Сумський державний університет Опис Кристали Cd(Mn)Te позиціонуються як можлива альтернатива кристалам Cd(Zn)Te, що знайшли широке застосування як детектори іонізуючого випромінювання. В даних кристалах з Mn можливо досягти більш однорідного розподілу мангану по кристалу, оскільки коефіцієнт сегрегації Mn в CdTe близький до 1. Це дозволяє підвищити вихід матеріалу з потрібними і відтворюваними електричними характеристиками. Включення другої фази є небажаними структурними недосконалостями в детекторах. Одним з можливих способів їх усунення - це їх міграція у полі температурного градієнту. Тому було вирішено дослідити можливість застосування цього явища і для очистки кристалів Cd(Mn)Te. Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити