Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2116U002118, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Thesis Назва роботи Определение температуры перегрева силовых SiC-диодов Шоттки Автор Дата публікації 01-01-2016 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45991 Видання Сумский государственный университет Опис От температуры кристалла во время работы зависят эксплуатационные параметры и характеристики надежности полупроводниковых диодов. Поэтому разработка способов, позволяющих достаточно точно определять температуру кристалла с целью выбора наиболее оптимальных режимов эксплуатации полупроводниковых приборов является актуальной задачей. Более предпочтительными являются неразрущающие способы измерения, поскольку они не требуют осуществления раскорпусировки приборов. Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити