Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2116U002156, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Thesis Назва роботи Фотоелектричні властивості гетероструктури p-GaTe - n-InSe Автор Дата публікації 01-01-2016 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45870 Видання Сумський державний університет Опис Шаруваті кристали групи А[3]В[6], до яких належать селенід індію та теллурид галію, є перспективними матеріалами для створення гетеропереходів на їх основі. Ці матеріали з різною симетрією і періодами кристалічної решітки дозволяють методом ван-дер-ваальсового контакту їх поверхонь створювати якісні гетероструктури. Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити
Матеріали
Thesis
Фотоелектричні властивості гетероструктури p-GaTe - n-InSe
Фотоелектричні властивості гетероструктури p-GaTe - n-InSe : публікація 2016-01-01; Сумський державний університет, 2116U002156
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-15


Роздрукувати цю сторінку