Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2116U005522, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Thesis Назва роботи Thermally induced phase transition in SnxSy thin films Автор Дата публікації 01-01-2016 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/46278 Видання E-MRS (European Materials Research Society) Опис Presently, the earth-abundant and non-toxic SnS2 and SnS compounds could be considered as the promising optoelectronic material. This is due the fact that SnS2 has n-type conductivity, high carrier mobility and wide band gap of 2.2 eV. SnS2 films were obtained by the close-spaced vacuum sublimation method. Додано в НРАТ 2025-05-13 Закрити