Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2116U005526, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Thesis Назва роботи Post-growth treatment of SnxSy thin films Автор Дата публікації 01-01-2016 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/46410 Видання E-MRS (European Materials Research Society) Опис In this study, the effect of post-growth thermal annealing and laser irradiation on phase composition, structural, optical and electrical properties of SnS2 obtained by the close-spaced sublimation on ITO substrates was studied. It was found, by using EDS, XRD and Raman methods that as-grown samples have single phase SnS2 structure and their chemical composition is close to stoichiometric. Додано в НРАТ 2025-05-13 Закрити
Матеріали
Thesis
Post-growth treatment of SnxSy thin films
Post-growth treatment of SnxSy thin films : публікація 2016-01-01; Сумський державний університет, 2116U005526
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-17


Роздрукувати цю сторінку