Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2117U000643, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Вплив електронного опромінення на анізотропію електропровідності n-InSe Автор Дата публікації 01-01-2017 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/66001 Видання Сумський державний університет Опис До та після електронного опромінення у діапазоні 80-400 К досліджується анізотропія електропровідності та механізм перенесення заряду впоперек шарів n-InSe. Встановлено, що початково висока, але слабо залежна від температури анізотропія після е-впливу істотно зростає та активаційно змінюється з температурою. Результати пояснені наявністю планарних дефектів, що стимулюють утворення потенціальних бар'єрів між шарами. Разом з тривимірними електронами, що термічно активуються чи тунелюють при транспорті перпендикулярно до шарів, враховано й двовимірні, які впливають тільки на поздовжню провідність. Розрахунки показали, що роль останніх посилюється після опромінення. До и после электронного облучения в диапазоне 80-400 К исследуется анитзотропия электропроводности и механизм переноса заряда поперек слоев n-InSe. Установлено, что изначально высокая, но слабо зависимая от температуры анизотропия после е-влияния существенно увеличивается и активационно изменяется с температурой. Результаты объяснены наличием планарных дефектов, стимулирующих образование потенциальных барьеров между слоями. Вместе с трехмерными электронами, которые термически активируются или туннелируют при транспорте перпендикулярно слоям, учтены и двумерные, влияющие только на продольную проводимость. Расчѐты показали, что роль последних усиливается после облучения. For crystals n-InSe before and after electron irradiation the conductivity anisotropy and across the layers charge transfer mechanism are investigated in the temperature range 80 to 400 K. It is established that the anisotropy ratio, being initially high and slightly dependent on temperature, considerably increases and exponentially changes with temperature after the e-irradiation. The results are explained by the presence of planar defects, which promote the formation of potential barriers between the layers. Along with the three-dimensional electrons thermally activated or tunneled at charge transport across the layers, the two-dimensional ones affecting only the longitudinal conductivity are taken into account. It follows from the numerical calculations that the latter contribution becomes more essential after the irradiation. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити