Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2117U000649, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Режим сверхбыстрого атомного транспорта и другие процессы в сплаве титана, модифицированого ионной и циклической термической обработкой Автор Дата публікації 01-01-2017 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65978 Видання Сумский государственный университет Опис В работе обнаружено образование протяженного оксидного слоя TiO2 на поверхности сплава Ti6Al-4V, модифицированного ионно-термической обработкой (ИТО). Методом micro-RBS установлен стехиометрический состав оксидного слоя, близкий к TiO2, его локальная глубина и анизотропия окисления. Обнаружено анизотропное окисление различных областей модифицированных образцов. Обсуждается возможный механизм формирования оксидного слоя и термической стабильности размеров сферических включений в связи со сверхбыстрой миграцией и полным растворением 18Oимпланта в модифицированных слоях. Предполагается, что сферические диэлектрические включения представляют собой агломераты частиц размером несколько десятков нанометров. У роботі виявлено утворення протяжного оксидного шару TiO2 на поверхні сплаву Ti-6Al-4V, модифікованого іонно-термичною обробкою (ІТО). Методом micro-RBS встановлено стехіометричний склад окисного шару, близький до TiO2, его локальна глибина та анізотропія окислення. Виявлено анізотропне окислення різних областей модифікованих зразків. Обговорюється можливий механізм формування окисного шару в зв’язку з надшвидкою міграцією та повним розчином у сплаві 18O-імпланту, утворенням агломератів із діелектричних включень нової фази нанометрового розміру. In this work we study the formation of a relatively thick TiO2 layer on the surface of Ti-6Al-4V alloy after ion-thermal treatment (IThT). A stoichiometric composition closed to the TiO2 layer, its depth, and local oxidation anisotropy were detected by micro-RBS. Anisotropic oxidation observed at some local areas near the SIMS craters. In this work, a possible mechanism of the oxide layer formation and thermal stability of spherical inclusions size will be discussed in connection with the superfast 18O implant migration and it dissolution at elevated temperatures. It supposed that dielectric spherical inclusions compose from the particles of about few of tenth nanometers in grain size. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити