Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2117U000655, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Вплив умов росту кристалів телуриду кадмію з надстехіометричним кадмієм на їх електрофізичні властивості Автор Дата публікації 01-01-2017 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/52335 Видання Сумський державний університет Опис Показано, що електрофізичні характеристики кристалів телуриду кадмія з надстехіометричним кадмієм, вирощених методом Бріджмена, визначаються передростовою температурою розплаву. У випадку невеликого перегріву розплаву (ΔТ ≤ 15 К) були одержані кристали р-типу з широким діапазоном електричних параметрів: концентрацією дірок р = (1010÷1016) см – 3 і рухливістю μр = (10÷70) см2/(В∙с) при 300 К. Якщо ж розплав був попередньо значно перегрітим (ΔТ ≈ 40÷65 К), то були вирощені однорідні кристали n-типу, в яких n = (1014 ÷1015) см – 3, μn = (500÷1110) см2/(В∙с) при 300 К. Кристали n-типу зберігали стабільність при нагріванні до 720 К, в цей же час в кристалах р-типу при нагріванні до Т > 370 К спостерігалися релаксаційні процеси гістерезисного типу. Показано, что электрофизические характеристики кристаллов теллурида кадмия с надстехиометрическим кадмием, выращенных методом Бриджмена, определяются предростовой температурой расплава. В случае небольшого перегрева расплава (ΔТ ≤ 15 К) были получены кристаллы р-типа с широким диапазоном электрических параметров: концентрацией дырок р = (1010 ÷ 1016) см – 3 и подвижностью μр = (10 ÷ 70) см2/(В∙с) при 300 К. Если же расплав был предварительно значительно перегретым (ΔТ ≈ 40 ÷ 65 К), то были выращены однородные кристаллы n-типа, в которых n = (1014 ÷ 1015) см – 3, μn = (500 ÷ 1110) см2/(В∙с) при 300 К. Кристаллы n-типа сохраняли стабильность при нагревании до 720 К, в это же время в кристаллах р-типа при нагревании до Т > 370 К наблюдались релаксационные процессы гистерезисного типа. It has been shown that the electro-physical characteristics of cadmium telluride crystals with overstoichiometric cadmium, grown by Bridgman, are determined by melt pre-growth temperature. In the case of small melt overheat (ΔT ≤ 15 K) there were obtained the p-type crystals with a wide range of electrical parameters: the concentration of holes р = (1010 ÷ 1016) cm – 3 and mobility μр = (10 ÷ 70) cm2/(V∙s) at 300 K. If the melt was pre-overheated greatly (ΔT ≈ 40 ÷ 65 К), the homogeneous n-type crystals were grown, for which n = (1014 ÷ 1015) cm – 3 and μn = (500 ÷ 1110) сm2/(V∙s) at 300 K. The n-type crystals heated to 720 K were stable, at the same time, in the p-type crystals under heating to Т > 370 K there were observed the relaxation processes of hysteresis type. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити