Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2117U000782, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Spectroscopic Ellipsometry Studies and Temperature Behaviour of the Dielectric Function of TlInS2 Layered Crystal Автор Дата публікації 01-01-2017 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/66195 Видання Sumy State University Опис Real and imaginary parts of the dielectric function of TlInS2 single crystals in the spectral range from 1 to 5 eV were determined within a temperature range of 133–293 K from spectroscopic ellipsometry measurements. The energies of interband transitions (critical points) for TlInS2 were obtained from the second derivatives of the dielectric function. Temperature dependent features observed in the temperature range of the structural phase transition (190–220 K) and at lower temperatures are discussed. Дійсну та уявну частини діелектричної функції кристалу TlInS2 визначено в спектральному діапазоні від 1 до 5 еВ в інтервалі температур 133-293 К із спектроскопічних еліпсометричних досліджень. Енергії міжзонних переходів (критичних точок) отримано для TlInS2 з других похідних від діелектричних функцій. Обговорюються особливості в області структурних фазових переходів (190-220 К) та при нижчих температурах. Из спектроскопических эллипсометрических исследований определена действительная и мнимая части диэлектрической функции кристалла TlInS2 в спектральном диапазоне от 1 до 5 эВ в интервале температур 133–293 К. Энергии между зонных переходов (критических точек) получено для TlInS2 из вторых производных от диэлектрических функций. Обсуждаются особенности в области структурных фазовых превращений (190–220 К) и при меньших температурах. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити