Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2117U000825, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи The Сadmium Telluride Thin Films for Flexible Solar Cell Received by Magnetron Dispersion Method Автор Дата публікації 01-01-2017 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65849 Видання Sumy State University Опис For the purpose of creation of thin-film photoelectric converters on the basis of sulfide and telluride of cadmium the pilot studies of process of magnetron dispersion on a direct current of telluride of cadmium and influence of the modes of magnetron dispersion on crystalline structure of films of CdTe are conducted. CdTe films for basic layers of sheet photoelectric converters on flexible polyimide substrate by the method of magnetron dispersion on a direct current are received for the first time. It is experimentally shown that "chloride" processing of the received layers of telluride of cadmium leads to transformation of metastable hexagonal modification of telluride of cadmium in stable cubic. At the same time at the expense of the eutectic recrystallization body height of the sizes of areas of a coherent dispelling much and decrease by 1,5 times of level of microstrains is observed. З метою створення тонкоплівкових фотоелектричних перетворювачів на основі сульфіду та телуриду кадмію проведені експериментальні дослідження процесу магнетронного розпилення на постійному струмі телуриду кадмію і вплив режимів магнетронного розпилення на кристалічну структуру плівок CdTe. Вперше на гнучких поліамідних підкладках методом магнетронного розпилення на постійному струмі отримані плівки CdTe для базових шарів плівкових фотоелектричних перетворювачів. Експериментально показано, що «хлоридна» обробка отриманих шарів телуриду кадмію призводить до трансформації метастабільною гексагональної модифікації телуриду кадмію в стабільну кубічну. При цьому за рахунок евтектичною перекристалізації спостерігається зростання розмірів областей когерентного розсіювання на порядок та зниження в 1,5 рази рівня мікродеформацій. С целью создания тонкопленочных фотоэлектрических преобразователей на основе сульфида и теллурида кадмия проведены экспериментальные исследования процесса магнетронного распыления на постоянном токе теллурида кадмия и влияние режимов магнетронного распыления на кристаллическую структуру пленок CdTe. Впервые на гибких полиимидных подложках методом магнетронного распыления на постоянном токе получены пленки CdTe для базовых слоев пленочных фотоэлектрических преобразователей. Экспериментально показано, что «хлоридная» обработка полученных слоев теллурида кадмия приводит к трансформации метастабильной гексагональной модификации теллурида кадмия в стабильную кубическую. При этом за счет эвтектической перекристализации наблюдается рост размеров областей когерентного рассеивания на порядок и снижение в 1,5 раза уровня микродеформаций. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити