Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2117U001186, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Фотоелектричне перетворення сигналу в глибокому p-n- переході як засіб детектування карбонових нанотрубок з адсорбованим сульфанолом у водному розчині Автор Дата публікації 01-01-2017 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65961 Видання Сумський державний університет Опис Показана можливість застосування принципу фотоелектричного перетворення в структурах з глибоким р-n переходом для контролю вмісту карбонових нанотрубок з адсорбованою ПАР (сульфанолом) у водному розчині. Проведено експериментальні дослідження впливу аналіту на зміни фотоструму крізь глибокий р-n перехід. Зареєстровано зсув залежності фотоструму від напруги, прикладеної до поверхні сенсорної структури, обумовлений присутністю карбонових нанотрубок у розчині. Зміни ефективної швидкості рекомбінації, що відповідають розподілу фотоструму на поверхні, можуть бути зумовлені зміною приповерхневого вигину зон. Показана возможность использования принципа фотоэлектрического преобразования в структурах с глубоким р-n переходом для контроля содержания карбоновых нанотрубок с адсорбированной ПАВ (сульфанолом) в водном растворе. Проведены экспериментальные исследования влияния аналита на изменение фототока через глубокий р-n переход. Зарегистрировано смещение зависимости фототока от напряжения, приложенного к поверхности сенсорной структуры, обусловленное присутствием карбоновых нанотрубок в растворе. Изменение эффективной скорости рекомбинации, которая соответствует распределению фототока на поверхности, может быть обусловлено изменением приповерхностного изгиба зон. The possibility of using the principle of photoelectric conversion in structures with a deep p-n junction to control the content of carbon nanotubes with adsorbed surfactant (SDBS) in an aqueous solution was shown. Experimental studies of the analyte influence on the change in the photocurrent through a deep p-n junction were carried out. A shift in the dependence of the photocurrent on the voltage applied to the surface of the sensor structure due to the presence of carbon nanotubes in the solution was recorded. The change in the effective recombination rate, which corresponds to the distribution of the photocurrent at the surface, can be attributed to a change in the near-surface band bending. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити