Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2117U001371, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Понижение степени межфазного перемешивания в многослойных рентгеновских зеркалах Sс/Si Автор Дата публікації 01-01-2017 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65765 Видання Сумский государственный университет Опис Методами рентгеновской дифракции как в жесткой (λ = 0,154 нм), так и в мягкой (λ = 11,7-50,0 нм) рентгеновской области исследовано влияние изменения давления аргона на степень межфазного пе- ремешивания в многослойных рентгеновских зеркалах (МРЗ) Sc/Si при изготовлении. Выявлено зна- чительное снижение активности образования перемешанных силицидных зон с ростом давления ар- гона от 1,6 до 2,4 мТорр на обеих межфазных границах, что приводит к уменьшению толщины зон, по меньшей мере, в 3 раза. Установлено, что у всех исследуемых зеркал состав зон не меняется и соответ- ствует моносилициду (ScSi). Уменьшение толщины зон приводит к росту отражательной способности МРЗ Sc/Si на длине волны 46,9 нм, по меньшей мере, на 20 %. Методами рентгенівської дифракції як в жорсткої (λ = 0,154 нм), так й в м’якої (λ = 11,7-50,0 нм) рен- тгенівських областях досліджено вплив зміни тиску аргону на міжфазне перемішування в багатошаро- вих рентгенівських дзеркалах (БРД) Sc/Si при виготовленні. Виявлено значне зниження активності утворення перемішаних силіцидних зон з ростом тиску аргону від 1,6 до 2,4 мТорр на обох міжфазних межах, що призводить до зменшення товщини зон принаймні в 3 рази. Встановлено, що у всіх дослідже- них дзеркалах склад зон не змінюється та відповідає моносиліциду (ScSi). Зменшення товщини зон при- зводить до росту відбивної здатності БРД Sc/Si на довжині хвилі 46,9 нм щонайменше на 20 %. By methods of X-ray diffraction in both hard (λ = 0.154 nm) and soft (λ = 11.7-50.0 nm) regions an influence of Ar pressure (1.6-2.4 mTorr) on interface mixing in Sc/Si multilayer X-ray mirrors (MXMs) during deposition is studied. Significant reduction in activity of interface zone formation with Ar pressure for both interfaces is revealed. That is manifested in zone thickness contraction at least by factor of 3. The zones in all studied MXMs are established to have the same composition corresponding to monosilicide (ScSi). The zone reduction is followed by reflectivity growth of Sc/Si MXMs at least by 20 % at wavelength of 46.9 nm. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити