Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2117U001461, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Memristor Effect in Ni/TiOx/p-Si/Ni and Ni/TiOx/p-Si/TiOx/Ni Heterojunctions Автор Дата публікації 01-01-2017 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65782 Видання Sumy State University Опис In present work we developed new memristive devices of sandwich-type Ni/TiOx/p-Si/Ni and planar one Ni/TiOx/p-Si/TiOx/Ni. A pinched hysteresis loop is observed for both device configurations and depends on supplementary illumination by UV/visual light. Besides classical model of migration of oxygen vacancies in titanium oxide we considers the impact of barrier modulation and recharging of surface states in TiOx/Si interface when voltage is applied to the structure in the dark or under illumination. The elaborated heterostructures show great potential as a low cost material for embedding memristive memory for large area electronics, compatible with Si CMOS process and can be managed by external illumination. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити
Матеріали
Стаття
Memristor Effect in Ni/TiOx/p-Si/Ni and Ni/TiOx/p-Si/TiOx/Ni Heterojunctions
Memristor Effect in Ni/TiOx/p-Si/Ni and Ni/TiOx/p-Si/TiOx/Ni Heterojunctions : публікація 2017-01-01; Сумський державний університет, 2117U001461
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-04-08


Роздрукувати цю сторінку