Search academic texts

Information × Registration Number 2117U002206, Article popup.category Thesis Title popup.author popup.publication 01-01-2017 popup.source_user Сумський державний університет popup.source http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64729 popup.publisher Сумський державний університет Description Шаруваті кристали FeIn2Se4 і In4Se3 – перспективні матеріали для створення фоточутливих гетеропереходів на їх основі , які можуть бути як n-, так і p- типу провідності. Ці матеріали з різною симетрією і періодами кристалічної градки дозволяють методом Ван-дерваальсового контакту поверхонь створювати якісні гетеропереходи. Методом механічного контакту був сформований новий гетероперехід p-FeIn2Se4 – n-In4Se3. Монокристали In4Se3 вирощувалися методом Чохральського і володіли яскраво вираженою шаруватою структурою. В якості фронтального напівпровідника гетеропереходу були обрані кристали FeIn2Se4, вирощені методом Бріджмена. popup.nrat_date 2025-05-12 Close