Search academic texts

Information × Registration Number 2117U002324, Article popup.category Thesis Title popup.author popup.publication 01-01-2017 popup.source_user Сумський державний університет popup.source http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64519 popup.publisher Сумский государственный университет Description Слои окисла кремния применятся в качестве защитных слоев над выходом p-n переходов на планарную поверхность полупроводниковых устройств, а также имеют хорошие маскирующие свойства при диффузии примесей. Существующие методы создания слоев окисла кремния обладают своими различными достоинствами и недостатками при применении в технологии производства полупроводниковых приборов. popup.nrat_date 2025-05-12 Close