Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2117U002456, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Thesis Назва роботи Механізми перенесення заряду в опромінених електронами кристалах n-InSe Автор Дата публікації 01-01-2017 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64701 Видання Сумський державний університет Опис Слабкий міжшаровий зв'язок визначає не лише анізотропію фізичних властивостей шаруватих монокристалів InSe. Як наслідок, сполука може витримувати вищі дози радіаційного опромінення, ніж традиційні матеріали електроніки. В той же час для селеніду індію відсутня інформація щодо впливу опромінення на механізми перенесення заряду в різних кристалографічних напрямках. Зокрема, це стосується й високоенергетичних електронів, що є предметом аналізу даного повідомлення. Основною відмінністю опромінених зразків є немонотонна залежність рухливості. Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити
Матеріали
Thesis
Механізми перенесення заряду в опромінених електронами кристалах n-InSe
Механізми перенесення заряду в опромінених електронами кристалах n-InSe : публікація 2017-01-01; Сумський державний університет, 2117U002456
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-04-08


Роздрукувати цю сторінку