Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2117U002478, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Thesis Назва роботи Поведінка InSe-фотоперетворювачів при впливі невеликих доз високоенергетичного гамма-випромінювання Автор Дата публікації 01-01-2017 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64489 Видання Сумський державний університет Опис Традиційна кремнієва електроніка швидко деградує вже при порівняно помірних дозах радіації. Альтернативою при створенні радіаційно-стійких фотоперетворювачів (ФП) видимого, ближніх ІЧ- і УФ-випромінювань можуть служити кристали унікальної групи А3В6. Запропоновано фізичну модель електронних процесів, що спостерігаються у даних р-n-переходах при опроміненні: на фоні утворення простих точкових дефектів відбувалося суттєве покращення досконалості кристалічної гратки шаруватого селеніду індію внаслідок ефективного “заліковування” власних структурних дефектів. Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити
Матеріали
Thesis
Поведінка InSe-фотоперетворювачів при впливі невеликих доз високоенергетичного гамма-випромінювання
Поведінка InSe-фотоперетворювачів при впливі невеликих доз високоенергетичного гамма-випромінювання : публікація 2017-01-01; Сумський державний університет, 2117U002478
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-18


Роздрукувати цю сторінку