Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2117U002503, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Thesis Назва роботи Критичні напруження в підкладці, що виникають при вирощуванні імпульсними методами рідиннофазної епітаксії Автор Дата публікації 01-01-2017 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64309 Видання Сумський державний університет Опис При використанні імпульсних методів рідиннофазної епітаксії контакт охолодженої підкладки з розчином-розплавом призводить до виникнення градієнту температури по її товщині. При цьому формуються механічні напруження, які можуть призвести до руйнування підкладки. Метою роботи є дослідження напружень, що виникають по товщині підкладки, при використанні імпульсних методів рідиннофазної епітаксії. Моделювання проведено для системи Gе-GaAs в діапазоні температур 450÷850 оС. Товщина підкладки – 380 мкм, її початкова температура – 27 оС, товщина Ga-Ge розчину-розплаву – 3500 мкм. Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити
Матеріали
Thesis
Критичні напруження в підкладці, що виникають при вирощуванні імпульсними методами рідиннофазної епітаксії : публікація 2017-01-01; Сумський державний університет, 2117U002503
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-17