Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2118U001442, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Charge Based Quantization Model for Triple-Gate FINFETS Автор Дата публікації 01-01-2018 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/71483 Видання Sumy State University Опис In this article we have developed an analytical model for Tri gate Metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) by including quantum effects. The coupled Schrödinger and Poisson’s equation is solved using variational approach to develop an analytical quantum model. An analytical model for charge centroid is obtained and then inversion charge model is developed with quantum effects by means of oxide capacitance for different channel thickness and gate oxide thickness. The compact model is shown to reproduce transfer characteristics, transconductance and C-V curve of tri gate MOSFET using the model. The modeled results are then compared to the simulated results. The comparison shows the accuracy of the proposed model. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити
Матеріали
Стаття
Charge Based Quantization Model for Triple-Gate FINFETS
Charge Based Quantization Model for Triple-Gate FINFETS : публікація 2018-01-01; Сумський державний університет, 2118U001442
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-04-08


Роздрукувати цю сторінку