Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2118U001446, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Electronics Properties of Monoclinic HfO2 Автор Дата публікації 01-01-2018 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/71655 Видання Sumy State University Опис Density functional theory (DFT) is a very successful technique to calculating the properties of manyelectron systems from first principles. The bands structures, charge density and density of state (DOS) of monoclinic HfO2 are calculated using Pseudo potential (PP) and Atomic Orbitals (AO) method, within the density functional theory DFT, generalized gradient approximation GGA and local density approximation LDA. Hafnium oxide (HfO2) is a high-k dielectric (dielectric constant k ~ 25 at 300 K, band gap Eg ≈ 6 eV); thermally stable up to 700 ◦C. HfO2 is used in semiconductor manufacturing processes where they are usually used to replace a silicon dioxide gate dielectric. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити