Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2118U001526, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Short Communication Equivalent Circuit of Betavoltaic Structure on Silicon pn Diode Автор Дата публікації 01-01-2018 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/67447 Видання Sumy State University Опис The equivalent circuit of betavoltaics silicon pn diode is proposed. The circuit includes the current source from betavoltaics effect, ideal pn diode, shunt and series resistances, and also barrier capacity with charge on it. The model allows to explain that increasing of charge on the surface silicon pn diode must decrease the effectiveness of energy conversion. As example, we showed that the open circuit voltage is decreased during irradiation time from beta source Ni-63 and it rapidly becomes higher after discharging. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити
Матеріали
Стаття
Short Communication Equivalent Circuit of Betavoltaic Structure on Silicon pn Diode
Short Communication Equivalent Circuit of Betavoltaic Structure on Silicon pn Diode : публікація 2018-01-01; Сумський державний університет, 2118U001526
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-04-09


Роздрукувати цю сторінку