Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2118U001557, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Computer Simulation on the Behavior of the TCO/n-a-Si:H Interface Solar Cells Автор Дата публікації 01-01-2018 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/71478 Видання Sumy State University Опис Among the factors limiting the open circuit voltage of Heterojunctions with Intrinsic Thin layers solar cell, the surface potential barrier at the Indium Tin Oxide (ITO)/hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) interface is one of the most important. To reduce this surface potential barrier, we have varied the band bending by simulation. The aim is to understand why, in spite of a considerable change in the front contact barrier height at the interface ITO/n-а-Si:H (band banding reduced), the characteristics J(V) remain almost unchanged. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити
Матеріали
Стаття
Computer Simulation on the Behavior of the TCO/n-a-Si:H Interface Solar Cells
Computer Simulation on the Behavior of the TCO/n-a-Si:H Interface Solar Cells : публікація 2018-01-01; Сумський державний університет, 2118U001557
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-04-09


Роздрукувати цю сторінку