Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2118U001582, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Формування варізонної активної області фотоелектричного перетворювача на основі твердих розчинів AlGaAs модуляцією потоку триметилалюмінію в методі МОС-гідридної епітаксії Автор Дата публікації 01-01-2018 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/70714 Видання Сумський державний університет Опис Представлено методику формування гетероструктури nGaAs\рAlGaAs\р+GaAs за допомогою методу МОС-гідридної епітаксії в температурному діапазоні 630-700 °С. Проведено дослідження розподілу концентрації носіїв заряду по товщині епітаксійних шарів n-GaAs легованих кремнієм та концентрації AlAs по товщині шару твердого розчину AlxGa1-xAs. Показано високу структурну досконалість отриманих епітаксійних шарів варізонної структури. Створено сонячний елемент з активною площею 1 см2. Показано, значення коефіцієнта корисної дії (ƞ = 25,37 %) отриманого сонячного елемента, що є вищим від такого значення для елементів на основі GaAs. Представлена методика формирования гетероструктуры nGaAs\рAlGaAs\р+GaAs с помощью метода МОС-гидридной эпитаксии в температурном диапазоне 630-700 °С. Проведено исследование распределения концентрации носителей заряда по толщине эпитаксиальных слоев n-GaAs легированных кремнием и концентрации AlAs по толщине слоя твердого раствора AlxGa1-xAs. Показано высокое структурное совершенство полученных эпитаксиальных слоев варизонной структуры. Создан солнечный элемент с активной площадью 1 см2. Показано значение коэффициента полезного действия (η = 25,37 %) полученного солнечного элемента, которое является выше такого значения для элементов на основе GaAs. The method of formation of nGaAs\рAlGaAs\р+GaAs heterostructure by the MOC vapour deposition method in the temperature range of 630-700 °С is presented. The investigation of the charge carrier concentration dependence on the thickness of the n-GaAs epitaxial layers doped with silicon and AlAs concentration dependence on the thickness of the AlxGa1-xAs solid solution layer was carried out. The high structural perfection of the obtained epitaxial layers of the graded-gap structure is shown. A solar cell with an 1 см2 active area is created. It is shown that the value of the efficiency coefficient (η = 25,37 %) of the obtained solar elements is higher than this one for solar elements based on GaAs. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити