Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2118U001836, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Transport Phenomena for Development Inductive Elements Based on Silicon Wires Автор Дата публікації 01-01-2018 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/68421 Видання Sumy State Universität Опис Conductance and magnetoresistance of Si < B > whiskers with diameters 5-40 µm doped with boron impurity were investigated in temperature range 4.2 ÷ 300 К, frequency range 1÷ 10 Hz and magnetic fields with intensity up to 14 Т by method of impedance spectroscopy. Hopping conductance on impurity states was shown to be realized in the crystals in low temperature region. The studies allow us to obtain parameters of hopping conduction. On the basis of experimental results a miniature inductive element was created using silicon wire. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити
Матеріали
Стаття
Transport Phenomena for Development Inductive Elements Based on Silicon Wires
Transport Phenomena for Development Inductive Elements Based on Silicon Wires : публікація 2018-01-01; Сумський державний університет, 2118U001836
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-04-09


Роздрукувати цю сторінку