Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2118U001869, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Вплив умов нанесення тонких полімерних плівок в вакуумі на їх діелектричні властивості Автор Дата публікації 01-01-2018 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/71474 Видання Сумський державний університет Опис У роботі описується вплив умов проведення вторинної полімеризації на діелектричні властивості тонких полімерних плівок (е' і tgб), отриманих розкладанням і конденсацією полімерів в вакуумі. Розкладання полімеру проводилося електронним променем. Змінними параметрами при ініціюванні вторинної полімеризації були потужність електронного променя, що опромінює підкладку, температура конденсації (підкладки), густина струму електронів, які бомбардують підкладку і їх енергія, а також напруга ВЧ розряду при газорозрядному нанесенні плівок. Найкращі параметри опромінення лежать в певному інтервалі, а саме: Е = 200-400 еВ; j = 0,2-0,3 мА/см2. Як показують результати дослідження структури виготовлених плівок, саме в цьому інтервалі енергій електронів в плівках міститься мінімальна кількість вільних радикалів і ненасичених зв'язків. А саме вони і є центрами асиметрії і погіршують діелектричні втрати в плівках, особливо на високих частотах. Effect of the secondary polymerization conditions on the dielectric properties (е' and tgб) of thin polymer films deposited by decomposition and condensation of polymers in a vacuum was described. The decomposition of the polymer was carried out by an electron beam. Variable parameters during the initiation of the secondary polymerization were the power of the electron beam irradiating the substrate; the condensation (substrate) temperature; the current density of the electrons bombarding the substrate and their energy; and the high frequency discharge voltage during the gas-discharge deposition of the films. The best irradiation parameters were in a certain range, namely: E = 200-400 eV; j = 0.2-0.3 mA/cm2. The studying of the deposited films structure show that minimum amount of free radicals and unsaturated bonds was contained in this interval of the electron energies. Namely, they were the centers of asymmetry worsening dielectric losses in films, especially at high frequencies. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити