Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2118U002013, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи An Analytical Modeling of Drain Current for Single Material Surrounded Gate Nanoscale SOI MOSFET Автор Дата публікації 01-01-2018 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/70907 Видання Sumy State University Опис In this paper, we have presented modeling of drain current for single material surrounded gate SOI MOSFET (SMG SGT SOI MOSFET) whose channel length is 40nm. We have studied the behavior of device by varying various device parameters in Linear, Saturation, and Sub-threshold regions. We have also presented a drain current model incorporating DIBL. The comparison between previously presented model with channel length = 50 nm and our scaled model is also presented in various regions of device operation. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити