Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2118U002120, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи A Graphical Method to Study Electrostatic Potentials of 25 nm Channel Length DG SOI MOSFETs Автор Дата публікації 01-01-2018 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/71363 Видання Sumy State University Опис To determine electrostatic potentials in silicon channel of undoped DG SOI MOSFET devices, a graphical approach is proposed. The method keeps close to experimental reality by taking into account flat band potential at reduced channel lengths up to 25 nm. This graphical method solves a transcendental equation of Poisson’s equation to obtain electrostatic potentials at center and surface of device as a function gate and drain bias voltages. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити
Матеріали
Стаття
A Graphical Method to Study Electrostatic Potentials of 25 nm Channel Length DG SOI MOSFETs
A Graphical Method to Study Electrostatic Potentials of 25 nm Channel Length DG SOI MOSFETs : публікація 2018-01-01; Сумський державний університет, 2118U002120
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-17


Роздрукувати цю сторінку