Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2118U003220, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Thesis Назва роботи Фотоефект у приладовій структурі на основі гетеропереходу SnS/CdS Автор Дата публікації 01-01-2018 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/67893 Видання Сумський державний університет Опис В наш час відбувається активний пошук перспективних матеріалів та розробляються нові підходи до створення приладових структур з підвищеною ефективністю перетворення сонячної енергії в електричну. Для створення фотоперетворювачів (ФЕП) третього покоління в якості поглинального шару сьогодні почала використовуватися сполука сульфіду олова, яка відноситься до групи A4B6. SnS – нетоксичний, дешевий матеріал, складові елементи якого широко розповсюджені у земній корі. Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити