Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2119U001409, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Effect of Chemical Treatment of the Surface on Optical Properties of ZnSe<Al> Substrates Автор Дата публікації 01-01-2019 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/72452 Видання Sumy State University Опис The influence of the surface morphology of single-crystal ZnSe<Al> substrates on the formation of their luminescence and absorption spectra was studied. It was established that the treatment of substrates in the chrome etchant Cr2O3:HCl = 2:3 leads to the formation of a mirror surface, and in a solution of the composition H2SO4:H2O2 = 3:1 – of matte. Analysis of the AFM-topograms of the mirror surface shows that the root-mean-square roughness does not exceed 0.6 nm, and such a surface can be considered an atomically smooth. AFM image of a matte surface is a set of smoothed pyramidal grains with lateral dimensions of 30-300 nm, and their maximum height reaches ~ 200 nm. Nanoclusters with an average lateral size of ~ 90 nm and a maximum height of ~ 27 nm are also observed on the surface of these substrates. In the luminescence spectra of samples with a surface nanostructure, in contrast to substrates with a mirror surface, the edge emission band and a wide U-band appear in the range of photon energies ħ larger than the bandgap Eg of zinc selenide. In this case, the U-band is formed by the tops of small pyramidal grains, and its large half-width and lack of structure is due to the dispersion of the lateral sizes of these grains. It was found that the optical absorption edge of substrates with a mirror surface is described by the «crystalline» approximation of the Urbach rule, and the energy position of the focal point Ef is consistent with Eg ≈ 2.81 eV of zinc selenide at 0 K. The behavior of the optical absorption edge of samples with a surface nanostructure obeys the «glassy» approximation of the Urbach rule, and its displacement with increasing temperature to the low-energy region occurs without a change in the slope. This is a consequence of static disordering, in contrast to samples with a mirror surface, for which dynamic disorder due to electronphonon interaction dominates. Досліджено вплив морфології поверхні монокристалічних підкладинок ZnSeAlна формування їх спектрів люмінесценції та поглинання. Встановлено, що обробка підкладинок у хромовому травнику Cr2O3:HCl = 2:3 приводить до утворення дзеркальної поверхні, а в розчині складу H2SO4:H2O2 = 3:1 – до матової. Аналіз АСМ-топограм дзеркальної поверхні показує, що середньоквадратична шорсткість не перевищує 0.6 нм і її можна вважати атомарно-гладкою. АСМ-зображення матової поверхні являє собою набір згладжених пірамідальних зерен з латеральним розміром 30-300 нм, а їх максимальна висота досягає ~ 200 нм. На поверхні цих підкладинок також спостерігаються нанокластери з середнім латеральним розміром ~ 90 нм і максимальною висотою ~ 27 нм. У спектрах люмінесценції зраз- ків з поверхневою наноструктурою, на відміну від підкладинок із дзеркальною поверхнею, з’являється смуга крайового випромінювання і широка U-смуга в діапазоні енергій фотонів ħ більших за ширину забороненої зони Eg селеніду цинку. При цьому U-смуга формується вершинами мілких пірамідальних зерен, а її велика півширина та відсутність структури обумовлені дисперсією латеральних роз- мірів цих зерен. Встановлено, що край оптичного поглинання підкладинок із дзеркальною поверхнею описується «кристалічним» наближенням правила Урбаха, а енергетичне положення фокальної точки Ef узгоджується з Eg ≈ 2.81 еВ селеніду цинку при 0 К. Поведінка краю оптичного поглинання зразків з поверхневою наноструктурою підпорядковується «склоподібному» наближенню правила Урбаха, а його зміщення з ростом температури у низькоенергетичну область відбувається без зміни нахилу. Це є наслідком статичного розупорядкування, на відміну від зразків із дзеркальною поверхнею, для яких домінуючим є динамічний безпорядок, обумовлений електрон-фононною взаємодією. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити