Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2119U001549, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Short Communication Physical Features of Double Sided Diffusion of Lithium into Silicon for Large Size Detectors Автор Дата публікації 01-01-2019 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/72868 Видання Sumy State University Опис У роботі ми пропонуємо новий метод двосторонньої дифузії іонів літію в монокристалічну кремнієву пластину для подальшого виготовлення детекторів ядерного випромінювання Si (Li) з діаметром чутливої поверхні більше 110 мм і товщиною чутливого шару більше 4 мм. Встановлено, що оптимальний режим для дифузії літію у силікон великого розміру має місце при температурі T = (450 ± 20) °C, часі t = 3 мін та глибині проникнення літію hLi = (300 ± 10) мм. Розглянуто теоретичні припущення та експериментальні характеристики двосторонньої дифузії. Як вихідні матеріали, використовували монокристалічний циліндричний кремнієвий кристал р-типу без дислокацій, отриманий методом зонного плавлення (діаметром 110 мм, товщиною 8-10 мм, з питомим опором ρ = 1000 ÷ 10000 Ом·см і часом життя τ ≥ 500 мкс), і кремнієвий кристал р-типу, отриманий методом Чохральського (з діаметром 110 мм, питомим опором ρ = 10 ÷ 12 Ом·см, часом життя τ ≥ 50 мкс, вирощений в атмосфері аргону). Відповідно, вдосконалено технологічні процеси механічної та хімічної обробки напівпровідникових пластин на основі кремнію великої площі. In this paper, we propose a new method for double sided diffusion of lithium ions into a monocrystalline silicon wafer for the further fabrication of Si (Li) p-i-n nuclear radiation detectors with a diameter of the sensitive surface of more than 110 mm and a thickness of the sensitive region of more than 4 mm. It was found that the optimal regime for lithium diffusion into large-diameter silicon is at a temperature of T = (450 ± 20) °C, time t = 3 min, thickness hLi = (300 ± 10) mm. The theoretical assumptions and experimental characteristics of double sided diffusion are considered. As initial material the dislocation free monocrystalline cylindrical silicon crystal of the p-type, obtained by the floating-zone method (with a diameter 110 mm, thickness 8-10 mm, resistivity ρ = 1000 ÷ 10000 Ohm·cm and life time τ ≥ 500 μs) and the silicon crystal of the p-type (with a diameter of 110 mm, resistivity ρ = 10 ÷ 12 Ohm·cm, lifetime τ ≥ 50 μs, grown in an argon atmosphere) obtained by the Czochralski method were used. Correspondingly, the technological processes of mechanical and chemical processing of semiconductor wafers based on silicon of a large area have been improved. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити