Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2119U006576, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Бакалаврська робота Назва роботи Методи знаходження поверхневих станів МДН-структур за допомогою вольт-фарадних характеристик Автор Снісаренко Ольга ВікторівнаSnisarenko Olha Viktorivna Дата публікації 01-06-2019 Постачальник інформації Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського» Першоджерело https://ela.kpi.ua/handle/123456789/28871 Видання Київ Опис Дипломна робота виконана на 55 сторінках, вони містять 4 розділи, 26 ілюстрацій та 15 джерел у списку посилань. Об’єктом дослідження є вольт-фарадні характеристики МДН-структури. Предметом є порівняльний аналіз відомих методів дослідження поверхневих станів МДН-структури та їх удосконалення. Метою роботи є розкриття проблеми про недосконалість методів дослідження поверхневих станів МДН-структури та пошук методів їх удосконалення. У першому розділи розглянуто електронні процеси, що відбуваються в середині МДН-структури та на границі поділу діелектрик-напівпровідник. У другому проведено аналіз диференційного методу аналізу поверхневих станів МДН-структури та його недоліки. У третьому проведено експериментальне визначення щільності поверхневих станів за допомогою методу Термана. Четвертий розділ присвячений розробці методу знаходження напруги плоских зон та удосконалення методу Термана на його основі. The thesis was carried out on 55 pages, they contain 4 sections, 26 illustrations and 15 sources in the list of links. The object of the study is the capacitance-voltage characteristics of the MIS-structure. The subject is a comparative analysis of the known methods for studying the surface states of the MIS structure and their improvement. The aim of the work is to reveal the problem of the imperfection of methods for studying surface states of a MIS structure and the search for methods to improve them. In the first section, electronic processes occurring inside the MIS structure and at the interface between the dielectric and semiconductor are considered. In the second, an analysis of the differential method for analyzing the surface states of the MIS structure and its drawbacks is carried out. In the third, experimental determination of the density of surface states was carried out using the Terman method. The fourth section is devoted to the development of the method for finding the voltage of flat zones and the improvement of the Terman method based on it. Додано в НРАТ 2025-11-05 Закрити