Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2119U006643, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Бакалаврська робота Назва роботи Дослідження електрофізичних властивостей МДН-структур за допомогою вольт-фарадних характеристик Автор Самусь Олександр СтаніславовичSamus Oleksandr Stanislavovych Дата публікації 01-06-2019 Постачальник інформації Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського» Першоджерело https://ela.kpi.ua/handle/123456789/28868 Видання Київ Опис Дипломна робота виконана на 56 сторінках, вини містять 4 розділи, 26 ілюстрацій та 15 джерел в переліку посилань. Об’єктом дослідження є ВФХ МДН-структури. Предмет дослідження – порівняльний аналіз існуючих методів дослідження електрофізичний властивостей МДН-структури за допомогою ВФХ та розробка і удосконалення методів аналізу ВФХ. Метою роботи є розкриття проблеми необхідності високоточного дослідження електрофізичних властивостей МДН-структури для вдосконалення приладів на іх основі. У першому розділі досліджено протікання зарядів і процеси на границі поділу діелектрик-напівпровідник. У другому проведено аналіз класичного методу дослідження електрофізичних властивостей МДН-структури і експериментальне їх визначення. Третій розділ присвячений розгляду впливу поверхневих станів на ВФХ МДН-структури, а також розробка нового методя для знаходження напруги плоских зон за експериментальними кривими. В четвертому розділі проведено експеримент для підтвердження актуальності даного методу. The thesis was carried out on page 57, the guilt contains 4 sections, 26 illustrations and 15 sources in the list of references. The object of study is the CV characteristics of the MIS structure. The subject of the research is a comparative analysis of the existing methods for studying the electrophysical properties of a MIS structure using the CV characteristics and the development and improvement of the methods of analyzing the CV characteristics. The aim of the work is to reveal the problem of the need for highly accurate studies of the electrophysical properties of a MIS structure to improve devices based on them. In the first chapter, the course of charges and the processes at the interface of the dielectric-semiconductor are investigated. In the second, the analysis of the classical method for studying the electrophysical properties of a MIS structure and their experimental determination was carried out. The third section is devoted to the consideration of the effect of surface states on the CV characteristics of the MIS structure, as well as the development of a new method for finding the voltage of flat zones from experimental curves. In the fourth section, an experiment was conducted to confirm the relevance of this method. Додано в НРАТ 2025-11-05 Закрити