Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2119U007276, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Бакалаврська робота Назва роботи Фотодіод на основі InSb з використанням імплантації іонів магнію Автор Кульбачинський Олександр АнатолійовичKulbachynskyi Oleksandr Anatoliiovych Дата публікації 01-06-2019 Постачальник інформації Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського» Першоджерело https://ela.kpi.ua/handle/123456789/28851 Видання Київ Опис Роботу викладено на 57 сторінках, вона містить 4 розділи, 28 ілюстрацій, 2 таблиці та 16 джерел в переліку посилань. Об’єктом дослідження став фоточутливий елемент на основі InSb утворений з імплантацією іонів магнію. Предмет роботи – профіль розподілу імплантованої домішки, профіль розподілу дефектів, вольт-амперні характеристики фоточутливого елементу. Метою даної роботи є створення фоточутливого елементу на основі n-InSb, який працює при 77 К, та удосконалення його технологічного маршруту. У першому інформаційно-аналітичному розділі роботи коротко надано відомості про сенсори на основі InSb. У другому розділі викладена інформація про основні процеси технологічного маршруту. У третьому розділі описано конструкцію та технологічний маршрут виготовлення фотодіода. У четвертому розділі викладені результати моделювання профілів розподілу на програмному забезпечені SRIM, досліджень профілів розподілу та ВАХ. The work is described on page 57, it contains 4 sections, 28 illustrations, 2 tables and 16 sources in the list of references. The subject of the study was a photosensitive element based on InSb formed with the implantation of magnesium ions. Subject of work - profile distribution of implanted impurities, profile of distribution of defects, volt-ampere characteristics of the photosensitive element. The purpose of this work is to create a photo-sensitive element based on n-InSb, which operates at 77 K, and to improve its technological route. In the first information-analytical section of the work, brief information is provided on InSb-based sensors. The second section describes the main processes of the technological route. The third section describes the design and technological route for the production of a photodiode. In the fourth section, the results of modeling distribution profiles on software SRIM, distribution profile analysis and VAC are outlined. Додано в НРАТ 2025-11-05 Закрити