Search academic texts

Information × Registration Number 2120U001712, Article popup.category Стаття Title popup.author popup.publication 01-01-2020 popup.source_user Сумський державний університет popup.source https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/77142 popup.publisher Sumy State University Description Запропоновано комірку пам’яті нового типу "біт + кубіт" на основі вертикальних блохівськіх ліній, що знаходяться в доменній стінці смугового магнітного домену, утвореного в одновісній феромагнітній плівці із сильною магнітною анізотропією. Даний результат відкриває перспективи створення запам’ятовувальних пристроїв як з квантовим, так і "класичним" режимами запису інформації. It was proposed a new memory storage unit of "bit + qubit" type based on unipolar vertical Bloch lines located in the domain wall of a magnetic stripe domain formed in a uniaxial ferromagnetic film with strong magnetic anisotropy. This result opens up the prospects for creating memory storage devices with both the quantum and "classical" process of recording information. popup.nrat_date 2025-03-24 Close