Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2120U002030, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Enhancement of Performance of a-Si:H Solar Cells by Introducing a p-nc-SiOx:H Nanostructure Buffer Layer Автор Дата публікації 01-01-2020 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/78175 Видання Sumy State University Опис У роботі вивчено сонячні елементи n-i-p на основі гідрогенізованого аморфного кремнію (a-Si:H) за допомогою одновимірного коду AMPS-1D (Аналіз мікроелектронних та фотонних структур). Проаналізовано ефект введення p-шару на основі гідрогенізованого нанокристалічного оксиду кремнію (p-ncSiOx:H) у якості буферного шару на інтерфейсі i/p замість i-шару на основі гідрогенізованого аморфного карбіду кремнію (i-a-SiC:H). Встановлено, що включення буферного шару p-nc-SiOx:H на інтерфейсі i/p зменшує смугу невідповідності між шаром поглинача i-a-Si:H та шаром вікна p+-nc-SiOx:H і мінімізує густину дефектів поблизу інтерфейсу. Отримано також, що спектральний відгук сонячного елементу покращився в діапазоні довжин хвиль від 0,48 до 0,7 мкм при використанні подвійних буферних p-шарів pnc-SiOx:H window/p-nc-SiOx:H. Отже, отримано покращену продуктивність вихідних сонячних елементів із буферним шаром p-nc-SiOx:H. У цьому випадку струм короткого замикання (Jsc) збільшується з 10,18 мА/см2 з буферним шаром i-a-SiC:H до 13,44 мА/см2 з буферним шаром p-nc-SiOx:H, напруга холостого ходу (VOC) покращується від 930 мВ до 941 мВ, а коефіцієнт заповнення (FF) збільшується з 74,2 % до 76,5 %. Як наслідок, коефіцієнт корисної дії зростає з 7,03 % до 9,67 %. In this work, single n-i-p solar cells based on hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) are analyzed using one dimensional AMPS-1D (Analysis of Microelectronic and Photonic Structures) code. Effect of introducing a p-layer based on hydrogenated nanocrystalline silicon oxide (p-nc-SiOx:H) as a buffer layer at i/p interface instead of i-layer based on hydrogenated amorphous silicon carbide (i-a-SiC:H) is analyzed. It is found that the incorporation of p-nc-SiOx:H buffer layer at i/p interface reduces the band mismatch between i-a-Si:H absorber layer and p+-nc-SiOx:H window layer and minimizes the defect density near interface. It is also obtained that the spectral response of the solar cell has improved in the wavelength range from 0.48 to 0.7 µm with using p-nc-SiOx:H window/p-nc-SiOx:H buffer dual p-layers. So, an enhancement of the output solar cell performances with using p-nc-SiOx:H buffer layer has obtained. In this case, the short circuit current (Jsc) increases from 10.18 mA/cm2 with i-a-SiC:H buffer layer to 13.44 mA/cm2 with p-nc-SiOx:H buffer layer, the open circuit voltage (VOC) improves from 930 mV to 941 mV and the fill factor (FF) increases from 74.2 % to 76.5 %. As a consequence, the conversion efficiency increases from 7.03 % to 9.67 %. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити