Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2120U003415, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Master thesis Назва роботи Температурна залежність параметрів біполярних транзисторів як елементів електронних схем Автор Дата публікації 01-01-2020 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/82078 Видання Опис Мета кваліфікаційної роботи магістра полягала у дослідженні статичних і динамічних робочих характеристик біполярних транзисторних структур різних типів та їх залежності від температури. Показано, що вплив температури на роботу транзисторів обумовлений трьома фізичними факторами: зменшенням потенційних бар'єрів у переходах, збільшенням теплових струмів переходів і збільшенням коефіцієнтів передачі струмів з ростом температури. Температурна залежність робочих характеристик Ік = f(Uк-е) не значна: при зростанні температури від 5 до 40 оС кут нахилу характеристик змінюється в середньому на 2 градуси. Установлено, що при зростанні температури від 5 до 30 оС відбувається зменшення величини колекторного струму: для транзисторів типу 2N2925 від 87,0 до 80,5 мА (приблизно на 7,5% або 0,26 мА/град) та ВC547 від 95,2 до 90,8 мА (приблизно на 4,7% або 0,18 мА/град), що пов’язано із зменшенням потенційних бар'єрів у переходах, збільшенням теплових струмів переходів та більш інтенсивними процесами інжекції носіїв заряду. Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити