Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2120U008205, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Бакалаврська робота Назва роботи Кремнієві структури метал-діелектрик-напівпровідник стекового типу Автор Морозов Дмитро ВадимовичMorozov Dmytro Vadymovych Дата публікації 01-01-2020 Постачальник інформації Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського» Першоджерело https://ela.kpi.ua/handle/123456789/35120 Видання Київ Опис Дипломна робота присвячена метал-діелектрик-напівпровідник структурам стекового типу. Метою роботи є описання проблеми заміни SiO2 в МДН-структурах на інші діелектрики та описання стекової структури з діелектриком з високою діелектричною проникністю (high-k). У роботі приводиться інформація про використання діелектриків, які замінили SiO2 через ряд переваг, які також були описані. Загальний обсяг роботи: 56 сторінок, 16 ілюстрацій, 10 посилань, 0 додатків. Thesis is devoted to metal-dielectric-semiconductor stack-type structures. The aim of this work is to describe the problem of replacing SiO2 in MDN structures with other dielectrics and to describe the stack structure with a dielectric with high dielectric constant (high-k). The paper provides information on the use of dielectrics that have replaced SiO2 due to a number of advantages that have also been described. Total volume of work: 56 pages, 16 illustrations, 10 links, 0 appendices. Додано в НРАТ 2025-11-05 Закрити