Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2120U008302, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Бакалаврська робота Назва роботи Синтез кремнієвих наноструктур методом метало-стимульованого хімічного травлення для фотовольтаїки та сенсорики Автор Скиба Іван ВасильовичSkyba Ivan Vasylovych Дата публікації 01-01-2020 Постачальник інформації Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського» Першоджерело https://ela.kpi.ua/handle/123456789/35112 Видання Київ Опис Роботу викладено на 70 сторінках, вона містить 3 розділи, 28 ілюстрацій, 10 таблиць і 55 джерел в переліку посилань. Об’єктом дослідження є кремнієві нанонитки та структури на їх основі. Предмет роботи – дослідження морфологічних, електричних та фоточутливих характеристик синтезованих кремнієвих наноструктур та діодних сенсорах освітленості на їх основі. Мета роботи – розробка технології синтезу кремнієвих наноструктур на поверхні кремнієвої підкладки методом метало-стимульованого хімічного травлення (МСХТ) для застосування їх в діодних сенсорах освітленості. В першому розділі подано огляд літератури, в якому розглядається технологічні засади та реалізація методу МСХТ, вплив технологічних параметрів методу МСХТ на структурні особливості отримуваних кремнієвих наноструктур. В другому розділі роботи розглядається застосування методу МСХТ в електроніці, вплив технологічних параметрів методу на чутливість напіпровідникових сенсорів та на фотоелектричні характеристики сонячних елементів. В третьом розділі наводяться результати синтезу, дослідження поверхневої морфології, електричних та фоточутливих характеристик діодних сенсорів освітленості, отриманих на основі кремнієвих наноструктур, в залежності від технологічних параметрів методу МСХТ. The work presented on 70 pages consists of 3 parts, 28 figures, 10 tables and 55 sources in the list of references. The object of study are silicon nanowires and structures based on them. The subject of work – study of morphological, electrical and photosensitive characteristics of synthesized silicon nanostructures and diode light sensors based on them. The purpose of the work is development of technology for the synthesis of silicon nanostructures on the surface of a silicon substrate by the method of metal-assisted chemical etching (MACE) for its using in diode light sensors. The first section provides as overview of the literature, which considers the technological principles and implementation of the method of MASE, the influence of technological parameters of the method of MASE on the structural features of the obtained silicon nanostructures. In the second chapter of work, there is application of the method of MACE in electronics, the influence of technological parameters of the method on the sensitivity of semiconductor sensors and on the photoelectric characteristics of solar cells. In the third section, results of synthesis, study of surface morphology, electrical and photosensitive characteristics of diode light sensors obtained on the basis of silicon nanostructures, depending on the technological parameters of the method of MASE. Додано в НРАТ 2025-11-05 Закрити