Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2120U008363, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Бакалаврська робота Назва роботи Визначення основних електрофізичних параметрів структур метал-діелектрик-напівпровідник за вольт-фарадними характеристиками Автор Абраімов Олексій ВалерійовичAbraimov Oleksii Valeriiovych Дата публікації 01-01-2020 Постачальник інформації Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського» Першоджерело https://ela.kpi.ua/handle/123456789/35104 Видання Київ Опис Дипломна робота виконана на 60 сторінках, що містять 4 розділи, 28 ілюстрацій, 20 джерел посилань. Об’єктом дослідження є вольт-фарадні характеристики структури метал-діелектрик-напівпровідник. Предметом є порівняння результатів дослідження електрофізичних параметрів за ВФХ відомими методами. Метою роботи є порівняння відомих методів визначення електрофізичних параметрів МДН-структури. Перший розділ присвячений основним поняттям та процесам, що спостерігаються в МДН-структурі. Визначено поняття ідеальної МДН-структури, порогової напруги, напруги плоских зон. Проведено невелику характеристику high-k матеріалів. У другому розділі розглянута методика визначення параметрів структури за класичним методом та проведене їх експериментальне дослідження. У третьому розділі обґрунтовано вплив зарядових станів на ВФХ системи. Проведено аналіз зарядових станів, що виникають на напівпровіднику. Четвертий розділ присвячений проведенню експерименту для дослідження розподілу заряду на межі розподілу діелектрик-напівпровідник різними методами. The work is present on 60 pages , it contains 4 sections, 28 illustrations, 20 sources in the list of references. The object of study is the capacitance-voltage characteristics of the metal-insulator-semiconductor structure. The subject is a comparison of the results of the study of electrophysical parameters by the C-V characteristics by known methods. The purpose of the work is comparison of known methods for determining the electrophysical parameters of MIS structures. The first section is devoted to the basic concepts and processes that are observed in the MIS structure. The concept of an ideal MIS structure, threshold voltage, voltage of flat zones is defined. A small characterization of high-k materials is made. In the second section, we consider the methodology for determining the structure parameters by the classical method and carry out their experimental study. The third section substantiates the effect of charge states on the C-V characteristics of a system. The analysis of charge states arising on a semiconductor is carried out. The fourth section is devoted to an experiment to study the charge distribution at the insulator-semiconductor interface by various methods. Додано в НРАТ 2025-11-05 Закрити