Search academic texts

Information × Registration Number 2120U008868, Article popup.category Бакалаврська робота Title Poslidovy vkluchennya tunelnykh diodiv (AI translated) popup.author Рудаков Дмитро ЮрійовичRudakov Dmytro Yuriiovych popup.publication 01-01-2020 popup.source_user Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського» popup.source https://ela.kpi.ua/handle/123456789/35110 popup.publisher Київ Description За мету даної роботи було поставлено дослідження вольт-амперних характеристик (ВАХ) послідовного включення тунельних діодів (послідовне зустрічне та послідовне співнапрямлене включення). Об’єктом дослідження є послідовне включення тунельних діодів. Предметом дослідження є вольт-амперні характеристики таких з’єднань. Методи які було використано під час написання роботи: вимірювання ВАХ напівпровідникових приладів, зокрема самих тунельних діодів, комп’ютерна обробка даних отриманих при проведенні експерименту. В найближчому майбутньому в галузі вивчення фізики тунельного ефекту в напівпровідниках і створенні приладів, які використовують тунельний ефект на мою думку слід очікувати ще багато нових відкриттів і винаходів. Оскільки тунельний діод можна застосовувати у великій кількості приладів таких як підсилювачі (ВЧ, НВЧ, надрегенеративні), генератори гармонічних коливань (генератори підвищеної потужності, генератори НВЧ), детектори (регенеративний детектор, надрегенеративний детектор), перетворювачі частоти. Саме тому в роботі наведений кількісний та якісний опис роботи послідовного з’єднання тунельних діодів, що дасть змогу зрозуміти особливість такого з’єднання. The purpose of this work was to study the volt-ampere characteristics (I – V) of series connection of tunnel diodes (series counter and series co-directional connection). The object of the study is the series connection of tunnel diodes. The subject of the study is the volt-ampere characteristics of such connections. Methods used during the writing of the work: measurement of the I – V characteristics of semiconductor devices, in particular the tunnel diodes themselves, computer processing of data obtained during the experiment. In the near future, in the field of studying the physics of the tunnel effect in semiconductors and the creation of devices that use the tunneling effect, in my opinion, we should expect many more new discoveries and inventions. Because the tunnel diode can be used in a large number of devices such as amplifiers (HF, microwave, superregenerative), harmonic oscillators (high power generators, microwave generators), detectors (regenerative detector, superregenerative detector), frequency converters. That is why the paper provides a quantitative and qualitative description of the series connection of tunnel diodes, which will allow us to understand the peculiarities of such a connection. popup.nrat_date 2025-11-05 Close